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美商世迈(SMART Modular)近日展示了全球第一款EDSFF 3英寸DDR4 Gen-Z内存模组(简称ZMM)的原型内存控制器是什么，当然已经不再是标准意义上的内存。

EDSFF(企业与数据中心存储形态)是由Intel牵头提出的一种新型企业级SSD存储规范，采用全新的开放式系统互连总线Gen-Z。

世迈的ZMM采用三星32Gb(4GB) DDR4内存颗粒，总容量256GB，搭配IntelliProp Gen-z Mamba内存控制器ASSP，接口为4C SFF-TA-1008/9，支持16条Gen-Z通道，每个通道25Gbps，合计达400Gbps，对外可提供30GB/s的传输带宽、400ns的访问延迟。

这么特殊的设计有什么用呢？主要是用于数据中心互连，支持多种访问模式，可简化内存访问，更好地处理基于数据的负载。

3英寸的身材也非常接近传统2.5寸硬盘，可以很轻松地放入服务器内部，不需要内部结构变化。

唯一问题就是功耗较大，达到了20W，需要注意散热，当然这对服务器来说不是啥大事儿。

EDSF定义了多种接口规范，这里用的是最左边的那个“三段式”

另外，美光公司宣布量产了1Znm工艺的16Gb DDR4内存，这是第第三代10nm级内存工艺，这次量产也让美光成为业界第一个量产1Znm工艺的公司，这一次进度比以往的标杆三星公司还要快。

在内存工艺进入20nm之后，由于制造难度越来越高，内存芯片公司对工艺的定义已经不是具体的线宽，而是分成了1X、1Y、1Z，大体来说1Xnm工艺相当于16-19nm级别、1Ynm相当于14-16nm，1Znm工艺相当于12-14nm级别。

根据美光之前公布的路线图内存控制器是什么，实际上1Znm之后还会有1αnm、1βnm、1γnm，这样一来10nm级别就有六种制造工艺了，现在正好演进到到了第三代。

美光表示，与上一代1Ynm制程相比，1Znm 16Gb DDR4内存芯片可以提供更高的密度、更高的性能及更低成本。

不过美光并没有给出具体的数据，性能提升多少、成本降低多少尚无确切数据，唯一比较确切的就是说1Znm 16Gb DDR4内存相比前几代8Gb DDR4降低了大约40%的功耗，但这个比较也太过宽泛。

此外，美光还宣布批量出货基于UFS多芯片封装uMCP的、业界容量最高的16Gb LPDDR4X内存，满足了业界对低功耗及更小封装的的要求。

从去年Q4季度开始，由于内存市场从供不应求变成供过于求，智能手机、数据中心等终端需求不振，导致内存价格开始下滑，去年Q4季度跌了10%，今年Q1季度暴跌了30%，Q2季度跌幅也达到了25%，导致上半年内存价格跌了50%以上。

内存价格下滑导致了全球内存市场Q2季度再次下滑，DRAMeXchange前几天发布了2019年Q2季度的全球DRAM内存市场报告，称Q2季度全球内存行业总产值只有148.44亿美元，环比Q1季度的163.32亿美元下滑了9.1%。

至于现在的Q3季度，之前有厂商、渠道商以日韩争端影响韩国公司内存生产为由炒作，导致7月份现货价格大涨24%，但是合约价并没有因此炒起来，以8GB内存模组为例，7月份的均价下滑到了25.5美元，相比6月份28.5美元的价格下滑了10%，相比前一季度的31.5%美元更是大跌了20%。

随着韩国公司半导体材料供应危机的逐步解决，支撑内存重新涨价的因素没了，预计Q3季度内存价格还会继续跌，不过跌幅可能会收窄到10%到15%左右。

至于内存价格什么时候会触底反弹，现在来看厂商们预期的今年底反弹是没希望了，三星公司预计内存供过于求的情况会持续到明年Q2季度，也就是说内存价格未来还要再跌至少三个季度。